mos英文全称为metal-oxide-semiconductor即半导体金属氧化物，它是集成电路中的材料，现在也可指代芯片．mos内部的结构和二极管、三极管差不多，由p-n结构成，p是正的意思(positive)，n是负的意思(negative).由于正负离子的作用，在mos内部形成了耗尽层和沟道，耗尽层里的正负离子相互综合，达到了稳定的状态，而沟道是电子流通的渠道，耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了，沟道就宽了，反之亦然． mos的功能和三极管差不多主要是放大电路，mos可分为hmos（高密度mos)和cmos(互补mos),两种合起来又有了chmos.
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