igbt，全称为绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor），是一种高性能功率半导体器件。它结合了mosfet的高输入阻抗和bjt的低导通电阻，具有高速开关、低导通电阻、低饱和电压、高温度稳定性等优点，被广泛应用于电力电子、工业自动化、交通运输、新能源等领域。
igbt的结构与普通的mosfet和bjt有所不同。它由一个pn结和一个npn三极管组成，中间夹着一个绝缘层。当控制极施加正向电压时，pn结会导通，三极管会被激活，从而使电流流过整个器件。igbt的控制极可以通过控制电压或电流来控制电流的流动，从而实现对电路的控制。
igbt的应用非常广泛。在电力电子领域，igbt被广泛应用于变频器、逆变器、直流输电、电力调节等方面。在工业自动化领域，igbt被用于电机驱动、电焊机、ups等设备中。在交通运输领域，igbt被应用于高速列车、地铁、电动汽车等领域。在新能源领域，igbt被用于太阳能、风能、储能等设备中。
igbt的优点在于其高性能和可靠性。它具有高速开关、低导通电阻、低饱和电压、高温度稳定性等特点，可以满足各种复杂的电路控制需求。igbt还具有较高的抗电磁干扰能力和抗辐射能力，可以在恶劣的环境下工作。
igbt是一种高性能功率半导体器件，具有广泛的应用前景。它的结构独特，具有高速开关、低导通电阻、低饱和电压、高温度稳定性等优点，被广泛应用于电力电子、工业自动化、交通运输、新能源等领域。
